重视MicroLED：

架构演进：打破“光铜权衡”的物理边界

传力面临瓶颈，在传统通信架构中，随着数据速率的增加，铜互连速度提升情况下传输距离缩短，而光互连的功耗上升，MicroLED光互联的优势在于：能耗低，适应10m以下的距离传输，且对温度不敏感，相较于激光器更加可靠。　

1、能效比： 传统光模块依赖功耗巨大的 DSP 进行信号纠错。MicroLED方案单通道速率控制在 2-4Gbps（理论极限 20Gbps），可以设置100/400/1200个通道，信号质量优异，可采用纯模拟后端设计，裁撤 DSP，功耗仅为 1-2 pJ/bit，较传统方案降低约 68%。（来自微软MOSAIC文献）　

2、可靠性： MicroLED 为自发光非相干体系，无激光器谐振腔结构，对环境温度不敏感（-55°C 至 125°C），可靠性比传统激光器方案高出 100 倍。　

以上两点可以大幅降低Opex，同时相较于SiPh CPO互联，也可以降低Capex投入。　

环节重构：从离散组件到晶圆级集成#　

1、发射端（MicroLED + GaN）： 采用硅基 GaN MicroLED 阵列，核心工艺是3μm级超微像素制造以及与CMOS的混合键合。主要关注往广通信领域发展的MicroLED公司，如三安光电、华灿光电等。　

2、接收端（CIS）：接收端从离散 PD 演变为高灵敏度 CMOS 探测器阵列，工艺流程与 CIS（图像传感器） 封装高度重合，供应链以及技术相对成熟，主要关注CIS公司，如思特威、豪威集团、格科微等。　

3、传输：采用多芯成像光纤替代单模/多模光纤，需配套微透镜进行光束准直。主要关注长飞光纤、亨通光电（特殊光纤）、舜宇光学（微透镜设计与精密制造）。　

4、封装平台：最优的方案来说，发射/接收端需通过 TSV（硅通孔） 技术与逻辑芯片实现3D堆叠，属于先进封装。精测电子、拓荆科技武汉新芯等。　

产业展望：从0到N落地路径

目前产业处于从实验室到下游应用的环节中，预计产业链量产节点在27年末，率先在 AI服务器内部实现对铜缆的替代，解决机柜内布线拥挤与散热瓶颈。在链主NV、微软等公司推动下，随着MicroLED制造良率提升，以及供应链侧的配合，MicroLED 有望集成至 CPO（共封装光学） 架构中片间互联的核心组件。

风险提示：市场有风险，投资需谨慎！文中所涉个股只作为数据板块分析，不作买卖依据，投资者不应将以上内容为作出投资决策的唯一参考因素，亦不应认为以上内容可以取代自己的判断。